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आयरन डोपेड इंडियम फास्फाइड वेफर प्राइम ग्रेड 4 इंच वेफर

आयरन डोपेड इंडियम फास्फाइड वेफर प्राइम ग्रेड 4 इंच वेफर

Iron Doped Indium Phosphide Wafer Prime Grade 4 Inch Wafer

उत्पाद विवरण:

उत्पत्ति के प्लेस: चीन
ब्रांड नाम: PAM-XIAMEN

भुगतान & नौवहन नियमों:

न्यूनतम आदेश मात्रा: 1-10,000pcs
पैकेजिंग विवरण: एक नाइट्रोजन वातावरण के तहत, एकल कंटेनर में कक्षा 100 स्वच्छ कमरे के वातावरण में पैक किया जाता है
प्रसव के समय: 5-50 कार्य दिवसों
भुगतान शर्तें: टी/टी
आपूर्ति की क्षमता: 10,000 वेफर्स / महीना
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विस्तृत उत्पाद विवरण
लेज़र मार्किंग: अनुरोध पर चालन प्रकार: अर्ध इन्सुलेटिंग
उत्पाद का नाम: इंडियम फॉस्फाइड सब्सट्रेट वेफर आवेदन: 600 ± 25um
वेफर Diamter: 4 इंच खोजशब्द: एकल क्रिस्टल इंडियम फास्फाइड वेफर
सूफ़े खत्म: पी / ई, पी / पी ग्रेड: प्रधानमंत्री ग्रेड

सेमी-इंसुलेटिंग, आयरन-डोपेड इंडियम फास्फाइड सबस्ट्रेट, 4 ”, प्राइम ग्रेड

सेमी-इंसुलेटिंग, इंडियम फॉस्फाइड सब्सट्रेट, 4 ”, प्राइम ग्रेड

4 "InP वेफर विशिष्टता
मद विशेष विवरण
चालन प्रकार एसआई प्रकार
dopant लोहा
वेफर व्यास 4 "
वेफर ओरिएंटेशन 100 ± 0.5 °
वेफर थिकनेस 600 ± 25um
प्राथमिक फ्लैट लंबाई 16 ± 2mm
माध्यमिक फ्लैट लंबाई 8 ± 1 मिमी
वाहक एकाग्रता ≤3x10 16 सेमी -3 (0.8-6) x10 18 सेमी -3 (0.6-6) x10 18 सेमी -3 एन / ए
चलना फिरना (3.5-4) x10 3 सेमी 2 / बनाम (1.5-3.5) x10 3 सेमी 2 / बनाम 50-70 सेमी 2 / बनाम / 1000cm 2 / Vs
प्रतिरोधकता एन / ए एन / ए एन / ए > 0.5x10 7 ..cm
EPD <1000 सेमी -2 <1x10 3 सेमी -2 <1x10 3 सेमी -2 <5x10 3 सेमी -2
TTV <15um
धनुष <15um
ताना <15um
लेज़र मार्किंग अनुरोध पर
सूफ़े खत्म पी / ई, पी / पी
एपि तैयार हाँ
पैकेज एकल वेफर कंटेनर या कैसेट

InP वेफर क्या है?

Indium फॉस्फाइड GaAs और सिलिकॉन के समान एक अर्धचालक सामग्री है, लेकिन एक आला उत्पाद है। यह बहुत उच्च गति प्रसंस्करण विकसित करने में बहुत प्रभावी है और सामग्री इकट्ठा करने और विकसित करने के लिए महान लंबाई की वजह से GaAs की तुलना में अधिक महंगा है। आइए इंडियम फास्फाइड के बारे में कुछ और तथ्यों पर नजर डालें क्योंकि यह एक इनप वेफर से संबंधित है।

ऑप्टिकल सेंसिंग एप्लीकेशन

स्पेक्ट्रोस्कोपिक सेंसिंग पर्यावरण संरक्षण और खतरनाक पदार्थों की पहचान को लक्षित करता है
• एक बढ़ता हुआ क्षेत्र, InP की तरंग दैर्ध्य व्यवस्था के आधार पर संवेदन है। गैस स्पेक्ट्रोस्कोपी के लिए एक उदाहरण ड्राइव परीक्षण उपकरण है जिसमें (CO, CO2, NOX [या NO + NO2]) का वास्तविक समय माप है।
• गैस और तरल पदार्थ (नल के पानी सहित) या भूतल संदूषण के पीपीबी स्तर तक विषाक्त पदार्थों के निशान का त्वरित सत्यापन।
• गैर-विनाशकारी उत्पाद नियंत्रण जैसे कि भोजन के लिए स्पेक्ट्रोस्कोपी (खराब खाद्य पदार्थों का शीघ्र पता लगाना)
• कई उपन्यास अनुप्रयोगों के लिए स्पेक्ट्रोस्कोपी, विशेष रूप से वायु प्रदूषण नियंत्रण पर आज चर्चा की जा रही है और कार्यान्वयन रास्ते पर हैं।

विभिन्न डोपिंग स्तरों के लिए इलेक्ट्रॉन हॉल गतिशीलता बनाम तापमान।
निचला वक्र - नहीं = एनडी-ना = 8 · 1017 सेमी -3;
मध्य वक्र - नहीं = 2 · 1015 सेमी -3;
शीर्ष वक्र - नहीं = 3 · 1013 सेमी -3।
(रज़ेगी एट अल। [1988]) और (वलुकुइवीज़ एट अल [1980])।
इलेक्ट्रॉन हॉल गतिशीलता बनाम तापमान (उच्च तापमान):
निचला वक्र - नहीं = एनडी-ना ~ 3 · 1017 सेमी -3;
मध्य वक्र - नहीं ~ 1.5 · 1016 सेमी -3;
शीर्ष वक्र - नहीं ~ 3 · 1015 सेमी -3।
(गैलावानोव और सियुकेव [1970])।

300 K इलेक्ट्रॉन बहाव गतिशीलता के करीब तापमान पर n-InP को कमजोर रूप से डोप किया गया:

·n = (4.2) 5.4) · 103 · (300 / टी) (सेमी 2 वी -1 एस -1)

विभिन्न क्षतिपूर्ति अनुपातों के लिए हॉल की गतिशीलता बनाम इलेक्ट्रॉन एकाग्रता।
Nd = ना / एन डी, 77 के।
डैश किए गए वक्र सैद्धांतिक गणना हैं: 1.; = 0; 2. 2. = 0.2; 3. 3. = 0.4; 4. 4. = 0.6; 5. 5. = 0.8;
(वालुकीविज़ एट अल। [1980])।
ठोस रेखा का अर्थ है मनाया गया मान (एंडरसन एट अल। [1985])।
विभिन्न क्षतिपूर्ति अनुपातों के लिए हॉल की गतिशीलता बनाम इलेक्ट्रॉन एकाग्रता
θ = ना / एन डी, 300 के।
डैश किए गए वक्र सैद्धांतिक गणना हैं: 1.; = 0; 2. 2. = 0.2; 3. 3. = 0.4; 4. 4. = 0.6; 5. 5. = 0.8;
(वालुकीविज़ एट अल। [1980])।
ठोस रेखा का अर्थ है मनाया गया मान (एंडरसन एट अल। [1985])।

इलेक्ट्रॉन हॉल गतिशीलता के लिए अनुमानित सूत्र

μ = μOH / [1 + (एन डी / 107) 1/2],
जहां -OH = 5000 सेमी 2 वी -1 एस -1,
एनडी- सेमी -3 (हिल्सम [1974]) में
300 K पर, n-InP में इलेक्ट्रॉन हॉल कारक rn≈1।
एन डी के लिए> 1015 सेमी -3।

विभिन्न डोपिंग (Zn) स्तरों के लिए होल हॉल गतिशीलता बनाम तापमान।
300 K पर छेद एकाग्रता: 1. 1.75 · 1018 सेमी -3; 2. 3.6 · 1017 सेमी -3; 3. 4.4 · 1016 सेमी -3।
θ = ना / एन डी ~ 0.1।
(कोहनुक एट अल। [1988])।

300 K हॉल की गतिशीलता के करीब तापमान पर कमजोर रूप से पी-इनपी के लिए

2.2pH ~ 150 · (300 / T) 2.2 (cm2V-1 s-1)।

छेद हॉल की गतिशीलता बनाम छेद घनत्व, 300 K (विली [1975])।
होल हॉल गतिशीलता के लिए अनुमानित सूत्र:
µp = /po / [1 + (Na / 2 · 1017) 1/2], जहां ~po ~ 150 cm2V-1 s-1, Na- सेमी -3 में

300 K पर, शुद्ध p-InP में छेद कारक: rp ~ 1

PAM-XIAMEN ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक अनुप्रयोगों के लिए उच्च शुद्धता सिंगल क्रिस्टल इंडियम फास्फाइड वेफर्स बनाती है। हमारे मानक वेफर व्यास 25.4 मिमी (1 इंच) से 200 मिमी (6 इंच) आकार के होते हैं; वेफर्स को विभिन्न मोटाई और पॉलिश या बिना पॉलिश किए गए किनारों के साथ बनाया जा सकता है और इसमें डोपेंट शामिल हो सकते हैं। PAM-XIAMEN विस्तृत श्रेणी ग्रेड: प्राइम ग्रेड, टेस्ट ग्रेड, डमी ग्रेड, तकनीकी ग्रेड और ऑप्टिकल ग्रेड का उत्पादन कर सकता है। PAM-XIAMEN वाणिज्यिक और अनुसंधान अनुप्रयोगों और नई स्वामित्व प्रौद्योगिकियों के लिए कस्टम रचनाओं के अलावा, अनुरोध द्वारा ग्राहक के विनिर्देशों के लिए सामग्री भी प्रदान करता है।

सेवा

7X24 घंटे की टेलीफोन परामर्श सेवा उपलब्ध है।
ग्राहक के अनुरोध पर 8 घंटे में जवाब और समाधान प्रदान किया जाएगा।
बिक्री के बाद समर्थन 7X24 घंटे के आधार पर उपलब्ध है, जिससे ग्राहकों को कोई चिंता नहीं है।

कच्चे माल से उत्पादन, और वितरण के लिए गुणवत्ता निरीक्षण।
पेशेवर गुणवत्ता नियंत्रण व्यक्ति, ग्राहक के लिए अयोग्य उत्पादों से बचने के लिए।
कच्चे माल, उत्पादन और वितरण का सख्त निरीक्षण।
गुणवत्ता प्रयोगशाला में उपकरणों की पूरी श्रृंखला।

सम्पर्क करने का विवरण
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
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